女性研究者紹介

フェムト秒レーザー誘起ナノ周期構造の形成と機能的応用

名古屋工業大学　助教

MIYAGAWA Reina

物理工学科 応用物理分野
研究キーワード：半導体　結晶成長　フェムト秒レーザープロセス

研究の概要

超短パルスのフェムト秒レーザーは、材料への熱的ダメージを極力抑えられること、非線形効果が発現することなどから、透明材料へのレーザー加工などに応用されている。フェムト秒レーザーを半導体や金属に照射するとレーザーの波長より短い周期の周期構造が自発的に形成されることが知られているが、形成機構など明らかになっていないことも多い。形成をダイナミクスとして把握することで、フェムト秒レベルでの光と材料との相互作用を理解しようと取り組んでいる。また、被照射材料の結晶状態を調べ、機能的な応用にも繋げていく。

研究１：フェムト秒レーザープロセッシング

フェムト秒レーザーの特長を活かしたプロセスでの光と物質との相互作用を理解し，機能的に応用する。

研究２：ワイドギャップ半導体の成長制御

共同研究希望分野

光学，材料，デバイス

プロフィール

2012年　三重大学大学院　工学研究科博士後期課程修了，博士（工学）
2013年　名古屋工業大学　助教

業績

  1. 空欄
  2. Reina Miyagawa, Yutaka Ohno, Momoko Deura, Ichiro Yonenaga and Osamu Eryu: “Characterization of femtosecond-laser-induced periodic structures on SiC substrates”, Japanese Journal of Applied Physics 57 (2018) 025602
  3. R. Miyagawa, K. Goto and O. Eryu: “Femtosecond-laser irradiation onto sapphire substrates in N2 ambient atmosphere”, Phys. Status Solidi (C), 14,11 (2017) 1700224.
  4. R. Miyagawa, Y. Okabe, Y. Miyachi, M. Miyoshi, T. Egawa and O. Eryu: “Selective growth of GaN on SiC substrates with femtosecond-laser-induced periodic nanostructures”, Trans. Mat. Res. Japan 41[2], (2016) pp.155-157.
  5. S. Okada, H. Miyake, K. Hiramatsu, R. Miyagawa, O. Eryu, and T. Hashizume: “Study on Surface Thermal Stability of Free-Standing GaN Substrates”, Jpn. J. Appl. Phys., 55 (2016) 01AC08.
  6. R. Miyagawa and O. Eryu: “Surface transformation and transmitted light characterization of 6H-SiC by femtosecond laser irradiation”, Jpn. J. Appl. Phys., 54 (2015) p.071302.
  7. R. Miyagawa, S. Yang, H. Miyake, K. Hiramatsu, T. Kuwahara, M. Mitsuhara, and N. Kuwano: “Microstructure of AlN grown on a nucleation layer on a sapphire substrate” Appl. Phys. Express, 5 No.2, (2012) 025501.
  8. R. Miyagawa, S. Yang, H. Miyake and K. Hiramatsu: “Effects of carrier gas and growth temperature on MOVPE growth of AlN” Phys. Status Solidi (c) 9, No.3-4, (2012) pp.499-502.
  9. Y. Takagi, R. Miyagawa, H. Miyake and K. Hiramatsu: “Fabrication of crack-free thick AlN film on a-plane sapphire by low-pressure HVPE” Phys. Status Solidi (C), 9 Issue 3-4, (2012) pp.576-579.
  10. R. Miyagawa, S. Yang, H. Miyake and K. Hiramatsu: “Study on interface between AlN/sapphire substrate for high quality AlN growth” Phys. Status Solidi (C) volume8, Issue 7-8, (2011) 2069-2071.
  11. S. Yang, R. Miyagawa, H. Miyake, K. Hiramatsu, and H. Harima: “Raman Scattering Spectroscopy of Residual Stresses in Epitaxial AlN Films”, Appl. Phys. Express, 4 (2011) 031001.
  12. Y. Takagi, R. Miyagawa, H. Miyake and K. Hiramatsu: “HVPE growth of c-plane AlN on a-plane sapphire using nitridation layer”, Phys. Status Solidi (C), 8 No.2 (2011) pp.470-472.
  13. R. Miyagawa, S. Yang, H. Miyake and K. Hiramatsu: “Control of AlN buffer / sapphire substrate interface for AlN growth”, Phys. Status Solidi (C), volume8, Issue 7-8, (2011) pp.2069-2071.
  14. W. Hu, B. Ma, D. Li, R. Miyagawa, H. Miyake and K. Hiramatsu: “Effects of the AlN Interlayer on the Distribution and Mobility of Two-Dimensional Electron Gas in AlGaN/AlN/GaN Heterojunctions”, Jpn. J. Appl. Phys., 49 (2010) 035701.
  15. R. Miyagawa, H. Miyake and K. Hiramatsu: “a-plane AlN and AlGaN growth on r-plane sapphire by MOVPE”, Phys. Status Solidi (C), volume7, Issue 7-8, (2010) pp.2107-2110.
  16. D. Li, B. Ma, R. Miyagawa, W. Hu, H. Miyake and K. Hiramatsu: “Photoluminescence study of unstrained Si-doped a-plane GaN grown by MOVPE”, J. Cryst. Growth, 311 (2009) pp.2906-2909.
  17. B. Ma, R. Miyagawa, W. Hu, D. Li, H. Miyake and K. Hiramatsu: “Structual and electrical properties of Si-doped a-plane GaN grown on r-plane sapphire by MOVPE”, J. Cryst. Growth, 311 (2009) pp.2899-2902.
  18. M. Narukawa, R. Miyagawa, B. Ma, H. Miyake and K. Hiramatsu: “Optical properties of MOVPE-grown a-plane GaN and AlGaN”, J. Cryst. Growth, 311 (2009) pp.2903-2905.
  19. R. Miyagawa, M. Narukawa, B. Ma, H. Miyake and K. Hiramatsu: “Reactor-pressure dependence of growth of a-plane GaN on r-plane sapphire by MOVPE”, J. Cryst. Growth, 310 (2008) pp.4979-4982.